锗二极管的具体参数，最大正向电流，正向导通电压，反向电压等？
二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。
正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2v，硅管约为0.6v）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3v，硅管约为0.7v），称为二极管的“正向压降”。反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管的工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大？
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。 2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V， 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。
二极管的导通电压是多少？
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。 普通硅二极管大概是0.5~0.7V。 硅整流管大概是1~1.2V。 肖特基二极管大概是0.3V~1V。 1.导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。 2.一般以额定正向工作电流值作为基本参数。 3.额定正向工作电流，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
一般硅、锗二极管的死区电压为多少？导通电压后又是多少？
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。
但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V： uA量级——0.4V； mA量级——0.7V； A量级——1V以上。二极管的正向特性有何特点？
二极管的伏安特性具有以下特点： ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关。这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。
二极管反向截止的条件是什么？
二极管反向截止的条件是什么？
应“黄先容356”的邀请
答:二极管截止的条件是正向电压电压低于阀值电压，或者外加反向电压不超过结区击穿电压。
简单地说，二极管截止状态指它在没有导通，也没有反向击穿的条件，它的重要特点为没有任何电流通过它。
二极管的类型太多，但是它主要分为N型材料和P型材料制成的半导体二极管。 对于不同材料制成的二极管来说，它们的阈值电压是不同的。硅材料制成的二极管的阈值电压为0.65V；锗材料制成的二极管的阈值电压为0.25V。
二极管掺有主杂质的半导体叫做N型半导体；掺有受主杂质的半导体叫做P型半导体(施主杂质主要有锑、磷和砷；受主杂质有铟、铝、镓和硼等)。
从上图看，将二块不同类型的半导体结合在一起，如果一边是N型材料，另一边是P型材料，这时N型材料中的多数载流子电子就要向P型半导体一边扩散，其结果是N型区域临近P型区域一边薄层A中有一部分电子扩散到P型区域中去了。薄层A中因为失去了这一部分电子而带有正电，如上图2(a)所示。
同样P型区域中临近N型区域一边的薄层B中有一部分空穴扩散到N型区域一边去了，结果使薄层B带有负电，如图2(b)所示。 二极管大家都会使用，所以这里只需要初步了解即可，无需要多说。
以上为个人观点，仅供提问者参考。希望对提问者有一定帮助。
知足常乐2018.12.7日于上海
理想二极管导通条件是什么？
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
二极管的死区电压：
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
锗材料二极管死区电压为多少伏？
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锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；
硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。
发光二极管的导通电流是多少，导通电压是多大？
【导通电压】在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。【导通电流】在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值，一般以额定正向工作电流值作为基本参数。额定正向工作电流，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。【发光二极管】简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。二极管的门槛电压多少啊？
硅二极管的门坎电压是0.5V，锗二极管的门坎电压是0.1V。
锗二极管的死区电压是多少？
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；
T2D49二极管的主要参数？
二极管的特性： 1、正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。2、反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。1）、击穿 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。